Наблюдение следующего измерения компьютерных микросхем

Наши компьютеры и смартфоны каждый загружен миллионами крошечных транзисторов. Скорость обработки этих устройств увеличивалась существенно со временем как количество транзисторов, которые могут соответствовать на единственной компьютерной микросхеме, продолжает увеличиваться.

На основе Закона Мура количество транзисторов за чип удвоится о каждых 2 годах, и в этой области это, кажется, держит. Чтобы сохранить этот темп быстрых инноваций, производители компьютеров все время в поисках новых методов, чтобы сделать каждый транзистор еще меньшего размера.

Текущие микропроцессоры сделаны, добавив образцы схем к плоским кремниевым вафлям. Новый способ переполнить больше транзисторов в том же самом космосе состоит в том, чтобы изготовить 3D структуры.

Транзисторы эффекта области финансового типа (FET) называют как таковыми, потому что у них есть подобные плавнику кремниевые структуры, которые простираются в воздух от поверхности чипа. Однако этот новый метод требует кремниевого кристалла с и боковые поверхности совершенно с плоской вершиной, вместо просто главной поверхности, как с текущими устройствами. Проектирование следующего поколения жареного картофеля потребует нового знания строений атома боковых поверхностей.

Теперь, исследователи в Осакском университете и Институте Нары Науки и техники сообщают, что привыкли STM для изображения боковая поверхность кремниевого кристалла впервые. STM – сильная техника, которая позволяет местоположениям отдельных кремниевых атомов быть замеченными.

Передавая острый наконечник очень близко к образцу, электроны могут подскочить через промежуток и создать электрический ток. Микроскоп контролировал этот ток и определил местоположение атомов в образце.«Наше исследование – большой первый шаг к атомарно решенной оценке транзисторов, разработанных, чтобы иметь 3D формы», исследование создает в соавторстве Азузу, которую говорит Аттори.Чтобы сделать боковые поверхности максимально гладкими, исследователи сначала рассматривали кристаллы с процессом, названным реактивным ионным травлением.

Соавтор Хидекэзу Танака говорит, «Наша способность непосредственно посмотреть на боковые поверхности, используя STM доказывает, что мы можем сделать искусственные 3D структуры с почти совершенным атомным заказом поверхности».