Крошечные релятивистские эффекты формируют основание функциональностей в современной технологии, как иллюстрируется магнитными жесткими дисками и носителями данных данных. Теперь впервые ученые непосредственно наблюдали особенности в электронной структуре, которая не могла быть замечена ранее.
Решенная углом фотоэмиссионная спектроскопия позволила ученым из Юлиха Forschungszentrum и Мюнхена LMU непосредственно визуализировать формирование изменений в структуре группы (ширины запрещенной зоны) образца формирующего прототип магнитного материала как ответ на изменение направления магнитного поля. Эти промежутки в энергетических уровнях электронов в железном образце происходят в соответствии с теорией Эйнштейна относительности, поскольку электроны, текущие через кристаллический образец, могут «ощутить» направление магнитного поля.